一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构，涉及MEMS压力传感器封装结构领域，该MEMS压力传感器封装结构中，封装基板在与MEMS压力传感器芯片胶粘区域设置有第一金属层结构，在第一金属层结构的外围设置有非连续结构的第二金属层结构，第一金属层结构可以起到应力抵消的作用，第二金属层结构可以起到应力分散的作用，通过这两部分金属层结构可以基本消除封装基板产生的应力干扰，从而提高MEMS压力传感器的精度。
基本信息
专利标题 ：
一种具有应力消除结构的MEMS压力传感器封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920679366.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-13
授权号 ：
CN209841242U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
汪祖民周海慧
申请人 ：
龙微科技无锡有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园E幢E1-301室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201920679366.4
主分类号 ：
G01L1/00
IPC分类号 ：
G01L1/00 B81B7/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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