晶圆表面激活腔体

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摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种新型的晶圆表面激活腔体的设计。一种晶圆表面激活腔体，其中，包括一腔体，所述腔体内设置有：一上电极，设置于所述腔体的上部；一下电极，与所述上电极平行设置于所述腔体的下部；一晶圆固定装置，设置于所述腔体上部，用以将一待加工晶圆固定于所述上电极的下表面，并使所述待加工晶圆的待加工面朝向所述下电极；一组进气口，设置于所述下电极周围；一第一排气口，设置于所述下电极的一侧。本实用新型通过改变进气管路和排气管路以及聚焦环和接收传送装置的位置，将晶圆传送到上电极进行表面激活，减少因晶圆表面激活产生的颗粒在键合时形成气泡，提高了晶圆产品良率，减少晶圆报废。

基本信息

专利标题：

晶圆表面激活腔体

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920685694.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-14

授权号：

CN209571383U

授权日：

2019-11-01

发明人：

陶超

申请人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

代理机构：

上海申新律师事务所

代理人：

俞涤炯

优先权：

CN201920685694.5

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32