MOS管桥式电路的驱动电路及储能设备
授权
摘要
本申请公开了一种MOS管桥式电路的驱动电路及储能设备。所述驱动电路包括单片机、半桥驱动线路、栅极电路、泄放电路和放电电路；所述半桥驱动线路包括带有死区时间控制的驱动芯片；所述单片机可产生至少一组互补的正弦脉宽调制驱动信号且可设定所述正弦脉宽调制驱动信号的死区时间；所述半桥驱动线路可对所述一组互补的正弦脉宽调制驱动信号进行放大和转换；所述栅极电路可将所述半桥驱动线路发出的信号传输给所述MOS管以驱动所述MOS管；所述泄放电路用于所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电压放电；所述放电电路用于所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电容放电。本申请可有效地控制半桥的工作，可降低异常情况下半桥的上下MOS管直接导通的风险。
基本信息
专利标题 ：
MOS管桥式电路的驱动电路及储能设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920808353.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-30
授权号 ：
CN209692607U
授权日 ：
2019-11-26
发明人 ：
刘巍李统成周明亮
申请人 ：
深圳可立克科技股份有限公司;惠州市可立克电子有限公司;惠州市可立克科技有限公司;信丰可立克科技有限公司;安远县美景电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道新田社区正中工业厂区7栋2层
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄议本
优先权 ：
CN201920808353.2
主分类号 ：
H02M1/38
IPC分类号 ：
H02M1/38 H02M1/088
法律状态
2019-11-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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