密封构造以及处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种密封构造以及处理装置。提供一种能够使构成真空容器的构件之间的接合部的气密性提高的技术。本公开的一个方式的密封构造用于对构成真空容器的构件之间的接合部进行密封，具有：内侧密封构件，其配置于所述接合部；以及外侧密封构件，其设置在所述接合部的与所述内侧密封构件相比更靠大气侧的位置，由气体透过率比所述内侧密封构件的气体透过率低的材料形成，其中，所述密封构造能够在所述真空容器内进行处理时在所述内侧密封构件与所述外侧密封构件之间形成密闭空间。
基本信息
专利标题 ：
密封构造以及处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920812444.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210167329U
授权日 ：
2020-03-20
发明人 ：
大泉行雄
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201920812444.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/205 C23C16/44
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-03-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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