高集成度模式通道切换控制器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高集成度模式通道切换控制器，包括衬底层，下包层和上覆盖层；在下包层上铺有左侧掺杂平板波导层和右侧掺杂平板波导层，左侧掺杂平板波导层上设有左侧电极和输入波导；右侧掺杂平板波导层上设有右侧电极和主干波导；采用基于ENZ‑ITO的水平MOS电容器，通过调整外加电压，调节ITO层的双载流子积聚层的浓度，达到快速相变来实现模式复用的状态转换，实现了高速开关转换，提高了光与物质互作用，为片上模式复用技术打下良好基础，进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。
基本信息
专利标题 ：
高集成度模式通道切换控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920825243.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-03
授权号 ：
CN209979957U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
蒋卫锋苗金烨李涛
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏尚春
优先权 ：
CN201920825243.7
主分类号 ：
G02F1/025
IPC分类号 ：
G02F1/025 G02B6/12 G02B6/122
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/015
基于至少有一个跃迁势垒的半导体元件的，例如，PN、PIN结
G02F1/025
在光导设备中的
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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