一种用于磁瓦检测的沉浸式光源结构
授权
摘要

本实用新型提供了一种用于磁瓦检测的沉浸式光源结构,包括半球形的弧形壳体,在所述弧形壳体的弧顶处设置有开口,在所述弧形壳体下部开口圆周上设置有将光射向所述弧形壳体内壁上的环形光源模组,所述弧形壳体的底部开有两个相对的凹口。本实用新型能通过环形光源模组以及半球形弧形灯罩将磁瓦完全包含在光照范围内,既不影响磁瓦的流水线输送,又能够全方位均匀地对磁瓦拍摄面进行照明,同时突出磁瓦表面的缺陷位置,使相机在获取更清晰的图像同时,更快更容易地确定当前检测磁瓦的缺陷状态。

基本信息
专利标题 :
一种用于磁瓦检测的沉浸式光源结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920849482.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-05
授权号 :
CN210071695U
授权日 :
2020-02-14
发明人 :
朱培源
申请人 :
深圳至汉装备科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区西丽街道中山园路1001号TCL国际E城G4栋A单元902室
代理机构 :
北京国坤专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵红霞
优先权 :
CN201920849482.6
主分类号 :
G01N21/95
IPC分类号 :
G01N21/95  G01N21/88  G03B15/05  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2020-02-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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