一种磁瓦外观缺陷检测结构
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摘要

本实用新型提供了一种磁瓦外观缺陷检测结构,包括用于拍摄磁瓦图像的相机,在所述相机与待检测的磁瓦之间布置有同轴的直射灯和漫射灯,所述直射灯包括由垂直于所述相机的光轴方向入射的平行光源,以及将平行光源发出的光反射为与所述相机的光轴平行且重合的反射镜;所述漫射灯包括上下两端分别开口的弧形罩,安装在所述弧形罩底部且向所述弧形罩内壁方向照射的环形光源。本实用新型通过本方案设置的光照方式,能够使当前摆放的磁瓦四周及上表面完全无光照死角,且可避免直射光源与环形光源之间的相互影响,使整个磁瓦表面的光强一致,能够更突出磁瓦表面的缺陷位置,加快和提高后续图像缺陷分析速度和精度。

基本信息
专利标题 :
一种磁瓦外观缺陷检测结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920846277.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-05
授权号 :
CN210198992U
授权日 :
2020-03-27
发明人 :
汤培欢
申请人 :
深圳至汉装备科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区西丽街道中山园路1001号TCL国际E城G4栋A单元902室
代理机构 :
北京国坤专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵红霞
优先权 :
CN201920846277.4
主分类号 :
G01N21/95
IPC分类号 :
G01N21/95  G01N21/88  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2020-03-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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