一种硅二极管银凸点电极的制作设备
授权
摘要
本实用新型属于半导体电镀技术领域，具体涉及一种硅二极管银凸点电极的制作设备。包括电镀槽、支撑装置、探针组、鼓液装置、电极板和电镀电源，所述支撑装置设置在电镀槽口，用于支撑待电镀的二极管芯片，所述鼓液装置和电极板均设置在所述电镀槽内部，所述探针组设置在所述待电镀的二极管芯片上方，且与待电镀的二极管芯片相抵，所述电镀电源正负极分别与所述电极板和探针组相连。本实用新型的有益效果是：电镀时由于先去除了光刻胶，不再有气泡产生，生长出来的银凸点无需再经过腐蚀，可保持原来的形状；由于本申请是与光刻腐蚀同时进行，节约了生产成本，提高了工作效率和银凸点的质量，也不会因为银凸点高度不够问题而返工。
基本信息
专利标题 ：
一种硅二极管银凸点电极的制作设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920867755.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-10
授权号 ：
CN209675240U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
刘明王慧陈震
申请人 ：
扬州晶新微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市鸿大路29号
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄启兵
优先权 ：
CN201920867755.X
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 C25D7/12 C25D17/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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