适用于声表面波器件的填埋式电极结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种适用于声表面波器件的填埋式电极结构，包括：衬底、凹槽以及电极；所述凹槽设置于所述衬底的表面，所述电极设置于所述凹槽中。本实用新型提出的填埋式电极结构能够改善高温下金属薄膜电极的退化现象，从而增加电极在高温条件下的稳定工作时间；本实用新型提出的填埋式电极结构能够提升声表面波器件的反射系数和机电耦合系数，减小声表面波器件尺寸并增加器件带宽；对于应用于压力传感的声表面波器件，本实用新型提出的填埋式电极结构能够增大频率压力系数，提升压力敏感度。
基本信息
专利标题 ：
适用于声表面波器件的填埋式电极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920870156.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-11
授权号 ：
CN210129847U
授权日 ：
2020-03-06
发明人 ：
韩韬柯汉
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海汉声知识产权代理有限公司
代理人 ：
庄文莉
优先权 ：
CN201920870156.3
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/125
法律状态
2020-03-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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