一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片及其制作方法，通过在底电极与顶部金属之间设置通道Ⅰ、上电极与顶部金属之间设置通道Ⅱ，利用阵列孔的数量优势将风险分摊，大大提高了器件芯片的电气可靠性；此外，阵列孔采用圆孔设计，解决了方孔产生的光刻胶去除不干净的问题；通道Ⅰ中采用阶梯孔设计将压电薄膜与孔侧壁上沉积的金属隔离，规避上电极与孔侧壁上的金属之间产生的电场；SiC作衬底材料增加了耐高温性能，Cu作上电极材料有效降低器件的插入损耗，在刻蚀压电薄膜时，形成底电极窗口的同时将晶圆上的各个芯片进行物理或化学分离，防止在划片时因机械力过大造成的压电薄膜损坏情况的发生。
基本信息
专利标题 ：
一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921045150.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-05
授权号 ：
CN209785973U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
牟笑静曹健潘红芝齐梦珂
申请人 ：
重庆大学
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
代理机构 ：
北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵荣之
优先权 ：
CN201921045150.9
主分类号 ：
H01L41/09
IPC分类号 ：
H01L41/09 H01L41/22 H01L41/253
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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