一种声表面波器件电极结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种声表面波器件电极结构及其制作方法，其电极结构包括第一电极层、第二电极层和第三电极层；所述第一电极层镀覆于所述压电基底的一面；所述第二电极层镀覆于所述第一电极层远离所述压电基底的一面；所述第三电极层镀覆于所述第二电极层远离所述压电基底的一面；所述第一电极层和第三电极层为金属材料制成；所述第二电极层为半导体材料制成。当第二电极层镀覆于第一电极层上时，随着声表面波滤波器长时间使用，其产生的高温使得金属原子具有移动的趋势，但由于此时半导体分子较为稳定，能够阻碍金属原子在具有移动的趋势下不发生移动，进而在一定程度上提高了声表面波滤波器的功率耐受性。
基本信息
专利标题 ：
一种声表面波器件电极结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114553171A
申请号 ：
CN202210088875.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苗湘兰则超闫坤坤黄歆
申请人 ：
北京中科飞鸿科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区银桦路60号院7号楼5层101-1
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
郑雷
优先权 ：
CN202210088875.6
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/64 H03H3/08
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/02
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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