减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路，包括LPDRAM的第一门控电路、第二门控电路和命令控制模块，所述的第一门控电路产生内部第一核心电源VDD1I，所述的第二门控电路分别产生内部第二核心电源VDD2I和数据I/O驱动电路电源VDDQI，所述的命令控制模块产生深度休眠使能信号DPD。通过上述方式，本实用新型提供的减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路，采用两种电源门控电路，可以在深度休眠模式下关掉绝大部分使用内部第一核心电源和内部第二核心电源的器件，减少整个LPDRAM的静态漏电流。
基本信息
专利标题 ：
减小深度休眠模式下LPDRAM的静态功耗电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920881746.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-13
授权号 ：
CN209804269U
授权日 ：
2019-12-17
发明人 ：
吴君杜艳强张学渊朱光伟
申请人 ：
苏州汇峰微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园三期9楼A3–A6
代理机构 ：
苏州广正知识产权代理有限公司
代理人 ：
谢东
优先权 ：
CN201920881746.6
主分类号 ：
G11C11/4074
IPC分类号 ：
G11C11/4074
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/4074
电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路
法律状态
2019-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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