一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,包括PCB板,PCB板上设置有过孔以及走线,走线上设置有过孔连接走线,走线通过所述过孔连接走线与所述过孔连接,过孔连接走线的宽度为走线的宽度的85%‑95%,过孔连接走线的长度为过孔的长度的150%‑250%。本实用新型结构简单,在不增加背钻成本的情况下,通过改变走线的宽度以及长度,来有效的提高信号质量,成本低,信号质量高。

基本信息
专利标题 :
一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920884185.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-13
授权号 :
CN210274700U
授权日 :
2020-04-07
发明人 :
黄刚吴均
申请人 :
深圳市一博科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
代理机构 :
深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
田志远
优先权 :
CN201920884185.5
主分类号 :
H05K1/11
IPC分类号 :
H05K1/11  G11C5/06  
法律状态
2021-01-08 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H05K 1/11
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更后 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区粤海街道深大社区深南大道9819号地铁金融科技大厦11F
2020-04-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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