一种改进的铜面电容式ITO导电膜
授权
摘要
本实用新型涉及一种改进的铜面电容式ITO导电膜，包括由下至上依次设置的基材层、ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层，所述ITO层设有高穿透区，所述铜导电层和导电阻绝层对应所述高穿透区设有网栅结构区，所述网栅结构区包括多条横向导线和多条竖向导线，所述横向导线和竖向导线相互垂直交叉形成具有穿透孔的网状结构。本实用新型通过蚀刻方式在ITO层形成高穿透区，铜导电层和导电阻绝层对应高穿透区设置网栅结构区，提高ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层的红外线穿透率，使得ITO导电膜可适用于具有红外线识别的电子屏幕，提高了产品的适用性。
基本信息
专利标题 ：
一种改进的铜面电容式ITO导电膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920931540.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-20
授权号 ：
CN209895358U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
华建军湛克宇
申请人 ：
惠州市天誉科技有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市惠阳区镇隆镇甘陂村永华工业园H栋厂房一楼
代理机构 ：
惠州创联专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵瑾
优先权 ：
CN201920931540.X
主分类号 ：
G06K9/00
IPC分类号 ：
G06K9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06K
数据识别；数据表示；记录载体；记录载体的处理
G06K9/00
用于阅读或识别印刷或书写字符或者用于识别图形，例如，指纹的方法或装置
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
