一种抑制MOS管关断尖峰的电路

授权

摘要

本实用新型涉及一种抑制MOS管关断尖峰的电路，包括两路吸收电路和控制吸收电路，其中一路吸收电路在吸收MOS关断尖峰时会分流至控制吸收电路对关断尖峰进行分流吸收，同时触发另一路吸收电路吸收MOS管关断尖峰，在MOS管导通时两个吸收电路均会对MOS管进行能量反馈，从而实现对MOS管的关断尖峰进行多路、多级吸收，控制吸收电路也能够对关断尖峰进行分流吸收，从而使MOS管的关断尖峰得到极大的抑制，同时在MOS管导通时两个吸收单元能够对MOS管进行多路能量反馈，从而保持MOS管稳定工作。

基本信息

专利标题：

一种抑制MOS管关断尖峰的电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920971973.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-25

授权号：

CN209805668U

授权日：

2019-12-17

发明人：

谢俊峰梁炜

申请人：

北京伟仕天成科技有限公司

申请人地址：

北京市昌平区沙河镇昌平路97号5幢C门305

代理机构：

北京维正专利代理有限公司

代理人：

刘乾帮

优先权：

CN201920971973.8

主分类号：

H02M1/32

IPC分类号：

H02M1/32