一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路
实质审查的生效
摘要
本发明是关于一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路，连接于SiC MOSFET驱动电路中，驱动电路包括上下桥臂，下桥臂的第一正向、第一负向供电电源之间连接电压图腾柱结构电路，电压图腾柱结构电路的输出端连接驱动电阻电路和负压关断电压上拉电路的输入端，驱动电阻电路的输出端连接电流抽取电路和电流注入电路的输入端，负压关断电压上拉电路的输出端连接下桥臂SiC MOSFET的栅极相连；上桥臂除无负压关断电压上拉电路外，与下桥臂对称设置。本发明能够充分发挥SiC MOSFET高开关速度，低损耗的性能优势，且在实现抑制开通电流、关断电压尖峰的同时抑制了桥臂串扰负压关断带来的附加损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337201A
申请号 ：
CN202111521031.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
秦海鸿彭江锦胡昊翔谢斯璇卜飞飞陈文明戴卫力朱梓悦谢利标胡黎明
申请人 ：
南京航空航天大学;南京开关厂有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区御道街29号
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
徐晓鹭
优先权 ：
CN202111521031.8
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H02M1/32
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/088
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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