一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路
授权
摘要
本发明涉及电力电子领域，尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路，该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路，该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路。该电路从减小处于关断状态的GaN HEMT门级关断回路阻抗的角度出发，在不影响GaN HEMT正常关断速度和不采用负压关断增加反向过压的前提下，抑制了门级反向过冲的产生。
基本信息
专利标题 ：
一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122265003.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-17
授权号 ：
CN216649519U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
肖龙詹荣花李岩连和谬吴正炀周秀敏
申请人 ：
闽南理工学院
申请人地址 ：
福建省泉州市石狮市厝仔工业区
代理机构 ：
泉州劲翔专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王光燕
优先权 ：
CN202122265003.6
主分类号 ：
H02M1/38
IPC分类号 ：
H02M1/38 H02M1/08 H02M1/32
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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