一种抑制高频GaN功率器件dv/dt串扰的多电平驱动电路
公开
摘要
本发明属于电力电子器件的驱动技术领域，具体涉及一种抑制高频GaN功率器件dv/dt串扰的多电平驱动电路，所述驱动电路包括驱动信号选通电路、负压产生电路和比较器控制电路。所述驱动信号选通电路用于选通正负方波，以驱动GaN功率器件，所述负压产生电路用于产生负电压，以防止GaN功率器件关断期间的误导通，所述比较器控制电路用于实现中间电平钳位，以防止GaN功率器件开通瞬间的反向击穿。本发明中间电平箝位响应速度更快，使得GaN功率器件可安全工作在5MHz及以上开关频率，充分发挥GaN功率器件高频应用的优势；负压产生电路结构简单且具有更宽的工作频率范围，使其可驱动的开关管包括但不限于高频GaN功率器件；同时具有降低驱动电路损耗的优势。
基本信息
专利标题 ：
一种抑制高频GaN功率器件dv/dt串扰的多电平驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114629333A
申请号 ：
CN202210419111.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-04-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶明王潇男周骞
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号湖南大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210419111.0
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H03K17/74
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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