一种锗基底长波红外带通滤光片
授权
摘要
本实用新型公开了一种锗基底上的8~12μm长波红外带通滤光片，该带通滤光片使用了锗（Ge）和硫化锌（ZnS）为不同折射率的镀膜材料，使用物理气相沉积（PVD）的方法，并以离子源辅助沉积与合适的基底烘烤温度等特定工艺条件，在锗基底的两个表面分别沉积多层非规整的膜层。该长波红外带通滤光片可以使得在8~12μm波长区间具有良好的透光效果，平均透过率＞90%，在1~7.5μm和12.5~17μm波段内高度截止，可以有效降低杂散光干扰，提高红外探测器的灵敏度和探测效率。
基本信息
专利标题 ：
一种锗基底长波红外带通滤光片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920992197.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN209979887U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
赵中亮
申请人 ：
上海欧菲尔光电技术有限公司
申请人地址 ：
上海市虹口区汶水东路888号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920992197.X
主分类号 ：
G02B5/28
IPC分类号 ：
G02B5/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/20
滤光片
G02B5/28
干涉滤光片
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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