一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法
授权
摘要
本申请提供了一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法，其中ZnS基底长波红外增透保护膜包括依次设置在所述ZnS基底上的ZnS膜层和Y2O3膜层；ZnS基底厚度：2‑15mm，各膜层的厚度为：ZnS膜层：80‑120nm，Y2O3膜层：1000‑1300nm，Y2O3膜层从内部到表面膜层结构逐渐变化。制备ZnS基底长波红外增透保护膜的方法，包括以下步骤：1)对ZnS基底进行抛光处理和表面处理；2)在所述ZnS基底上沉积ZnS膜层；3)在所述ZnS膜层上沉积Y2O3膜层，沉积开始时初始氧氩比为(2.8‑3.4)：35，在沉积过程中逐渐减小氧氩比，沉积结束时氧氩比为(0.6‑1.0)：35。通过所述方法制备而成的ZnS基底长波红外增透保护膜结构稳定性好，且在波长7.0‑9.5μm的波段内平均透过率高。
基本信息
专利标题 ：
一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112698430A
申请号 ：
CN202011460832.3
公开（公告）日 ：
2021-04-23
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
CN112698430B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张旭钱纁肖红涛党参滕祥红张克宏石岩
申请人 ：
中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区红松园1号
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘继富
优先权 ：
CN202011460832.3
主分类号 ：
G02B1/115
IPC分类号 ：
G02B1/115 G02B1/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/10
对光学元件表面涂覆或对它进行表面处理后所产生的光学涂层
G02B1/11
抗反射涂层
G02B1/113
仅使用无机材料
G02B1/115
多层
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 1/115
申请日 : 20201211
申请日 : 20201211
2021-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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