一种红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备方法
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摘要
一种红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备方法，它属于红外增透领域。本发明要解决现有Si基底透过率较低，而HfO2薄膜存在增透极限的问题。红外增透的二氧化铪介质薄膜由Si基底及一侧设置的HfO2微纳结构层组成，或红外增透的二氧化铪介质薄膜由Si基底及两侧设置的HfO2微纳结构层组成。制备方法：一、清洗基片；二、HfO2薄膜制备；三、微纳结构加工。本发明用于红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备。
基本信息
专利标题 ：
一种红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112241031A
申请号 ：
CN202011103988.6
公开（公告）日 ：
2021-01-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
CN112241031B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
赵九蓬谷金鑫豆书亮李垚魏航任飞飞
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人 ：
侯静
优先权 ：
CN202011103988.6
主分类号 ：
G02B1/115
IPC分类号 ：
G02B1/115 C23C14/02 C23C14/08 C23C14/58 C23C14/35
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/10
对光学元件表面涂覆或对它进行表面处理后所产生的光学涂层
G02B1/11
抗反射涂层
G02B1/113
仅使用无机材料
G02B1/115
多层
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-02-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 1/115
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2021-01-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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