一种锗基底红外长波通滤光片
授权
摘要
本实用新型公开了一种锗基底红外长波通滤光片，该滤光片在光学镀膜过程中使用锗（Ge）为高折射率材料，使用硫化锌（ZnS）为低折射率材料，利用物理气相沉积（PVD）的方法，在锗基底的两个表面分别沉积多层非规整的膜层。为了提高该滤光片的膜层可靠性，在镀膜前使用离子源辅助清洁的方法并设置适当的基底烘烤温度等特定工艺条件。该长波通滤光片在8~14μm波长区间内具有优良的透光效果，平均透过率＞92%，在1~7μm波长区间内高度截止，可以有效降低次峰干扰，提高红外探测器的探测效率。
基本信息
专利标题 ：
一种锗基底红外长波通滤光片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921021161.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN210514674U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
赵中亮
申请人 ：
上海欧菲尔光电技术有限公司
申请人地址 ：
上海市虹口区汶水东路888号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921021161.3
主分类号 ：
G02B5/20
IPC分类号 ：
G02B5/20 C23C14/26 C23C14/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/20
滤光片
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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