优化电流分布的嵌入式电极结构LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种优化电流分布的嵌入式电极结构LED芯片，所述LED芯片包括从下到上依次排列分布的导电衬底、键合金属层、第一绝缘层、反射镜金属保护层、反射镜金属层、p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱发光层、n型GaN层、透明电流扩散层和第二绝缘层；两个嵌入式柱状N电极层分别插入键合金属层中并依次贯穿第一绝缘层等；嵌入式柱状N电极层和键合金属层相连接形成电导通；嵌入式柱状N电极层的上表面和透明电流扩散层的下表面相连接并形成欧姆接触。本实用新型提供的优化电流分布的嵌入式电极结构LED芯片可以在不增加电极孔数量即不损失发光面积的情况实现电流分布优化，进一步芯片提高亮度。
基本信息
专利标题 ：
优化电流分布的嵌入式电极结构LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921028658.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-02
授权号 ：
CN210607305U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
李国强陈曦午谢卓良林志霆
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201921028658.8
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/42 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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