电极孔堵板装置及具有其的单晶炉
授权
摘要
本申请涉及电极孔堵板装置及具有其的单晶炉，电极孔堵板装置包括上压盖、下压盖和紧固件。上压盖的盖体的周边设置有卡接部，卡接部适用于卡接在电极座所围成的电极孔的第一开口处，以使上压盖覆盖第一开口；上压盖的盖体朝向电极孔的端面设置有第一凸台；下压盖的主体呈板状，且所述下压盖适用于覆盖与所述第一开口位置相对的所述电极孔的第二开口；其中，下压盖的端面开设有通孔，紧固件穿过通孔，并与上压盖的第一凸台固定连接。该电极孔堵板装置零部件减少至7件并且可拆卸，安装简单，节省材料，降低了加工成本，有效地简化了结构。
基本信息
专利标题 ：
电极孔堵板装置及具有其的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921101361.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN210341125U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
唐选林关树军陈辉
申请人 ：
北京天能运通晶体技术有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济开发区经海路科创十五街1号
代理机构 ：
北京市鼎立东审知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈佳妹
优先权 ：
CN201921101361.X
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
