提高超导量子处理器谐振频率的封装盒体结构
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摘要
一种提高超导量子处理器谐振频率的封装盒体结构，包括：基座，其上用于放置超导量子处理器；其中，该基座上具有一空心区域，该空心区域位于超导量子处理器的下方且邻接该超导量子处理器；或者包括：一封装盒体，其内部具有一容置空间用于放置超导量子处理器，该容置空间的长、宽、高至少一个方向的尺寸大于该超导量子处理器对应的长、宽、高尺寸，形成一间隙区域；以及多个导体块，设置于该间隙区域中，与封装盒体中容置空间的边缘接触。通过降低寄生电容或者缩小谐振腔的有效尺寸两种途径来提高电磁波的基模频率，从而将基模频率提高至超导量子处理器的工作频带之外，以达到降低或消除谐振对超导量子处理器影响的目的。
基本信息
专利标题 ：
提高超导量子处理器谐振频率的封装盒体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921167656.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN210516697U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
梁福田杨威风邓辉龚明吴玉林彭承志朱晓波潘建伟
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
马莉
优先权 ：
CN201921167656.7
主分类号 ：
H01L23/043
IPC分类号 ：
H01L23/043 H01L23/10 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/043
中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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