一种紫外发光二极管光源结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种紫外发光二极管光源结构，包括底座和光源模组，光源模组紧贴底座设置，在光源模组上固定设置有若干发光二极管；紫外发光二极管光源结构还包括面盖，面盖的数量为两个，两个面盖分别设置在底座的两端，两个面盖均包括竖直连接部、水平连接部和反光部，竖直连接部、水平连接部和反光部依次连接，竖直连接部与底座固定连接，反光部与光源模组固定连接；每个面盖均与底座和光源模组共同围绕成容纳空间，电气接入端子容纳在容纳空间内；本实用新型提高紫外发光二极管的光源辐射强度，并降低发光二极管的环境温度和结温，提高了发光二极管的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外发光二极管光源结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921177991.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210398423U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
练海啸马学进
申请人 ：
广州和光同盛科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港东路1068号1503单元
代理机构 ：
广州圣理华知识产权代理有限公司
代理人 ：
顿海舟
优先权 ：
CN201921177991.5
主分类号 ：
F21K9/20
IPC分类号 ：
F21K9/20 F21V7/00 F21V23/00 F21V31/00 F21Y115/10
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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