一种适用于大尺寸单晶的排气系统
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供一种适用于大尺寸单晶的排气系统,包括单晶炉底板和排气管道,排气管道与单晶炉底板连接,还包括排气口和排气口封堵装置,其中,排气口与单晶炉底板连接,且排气口与排气管道连通,便于氧化物排出;排气口封堵装置与排气口转动连接,排气口封堵装置对排气口打开或关闭,控制排气系统排气口打开的数量。本实用新型的有益效果是结构简单,维修方便,具有排气口封堵装置和管道封堵装置,能够对排气口和管道进行封堵,使得排气口能够分批次打开和关闭,排气管道内具有自净化装置,在保证炉台正常运行过程中,将炉内不断沉积下来的氧化物清扫掉,使炉台正常运行,且分批次打开排气口,降低功耗,降低用电成本,保证单晶质量。

基本信息
专利标题 :
一种适用于大尺寸单晶的排气系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921204057.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-29
授权号 :
CN211005710U
授权日 :
2020-07-14
发明人 :
张文霞高润飞王林谷守伟徐强郭志荣
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201921204057.8
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-07-02 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/00
登记生效日 : 20210621
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 内蒙古中环光伏材料有限公司
变更后权利人 : 天津中环半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路12号
2020-07-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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