一种高位加料装置
授权
摘要
本实用新型是一种高位加料装置，结构包括固定架、U型支架、旋转篮、双导杆气缸、链条，所述固定架支撑双导杆气缸，双导杆气缸与U型支架固定连接，旋转篮与U型支架活动连接，本实用新型通过以双导杆气缸为驱动机构，实现加料罐的举升，翻转，卸料，翻转复位的过程，且可以实现中途停止，可以在举升过程同时进行翻转，有效避开了卸料罐的罐体和上盖的阻挡，该装置节省了使用空间，并降低了操作员的劳动强度。
基本信息
专利标题 ：
一种高位加料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921229063.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-01
授权号 ：
CN210092030U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
鲁济伟
申请人 ：
吉林瑞能半导体有限公司
申请人地址 ：
吉林省吉林市高新区深圳街99号
代理机构 ：
长春新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高佳佳
优先权 ：
CN201921229063.9
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/312
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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