低反射率衰减片
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开一种低反射率衰减片,其包括基片、至少两层二氧化硅涂层和至少两层二氧化钛涂层;二氧化硅涂层与二氧化钛涂层交替沉积于基片的正面上,且二氧化硅涂层靠近基片;二氧化硅涂层与二氧化钛涂层交替沉积于基片的反面上,且二氧化硅涂层靠近基片。本实用新型通过将二氧化硅涂层与二氧化钛涂层交替沉积于基片的正面上;二氧化硅涂层与二氧化钛涂层交替沉积于基片的反面上,由于二氧化钛涂层具有无毒、高不透明性、高白度和光亮度,使得衰减片的衰减效率得到了提高,同时二氧化硅涂层透过率高,使得入射光在二氧化硅涂层表面不易反射,从而进一步提高了衰减片的衰减效率。

基本信息
专利标题 :
低反射率衰减片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921243199.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-31
授权号 :
CN210270242U
授权日 :
2020-04-07
发明人 :
闪雷雷朱小康
申请人 :
深圳陆鼎光电科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区第四工业区祝龙田路6栋2楼B
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921243199.5
主分类号 :
G02B5/20
IPC分类号 :
G02B5/20  G02B1/10  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/20
滤光片
法律状态
2021-08-31 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : G02B 5/20
登记生效日 : 20210819
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 大鼎光学薄膜(中山)有限公司
变更后权利人 : 武汉里斯泰克科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 528437 广东省中山市火炬开发区金通街3号通宇科技园B栋1楼之二卡
变更后权利人 : 430223 湖北省武汉市东湖开发区武汉大学科技园内创业楼2楼13号
2020-11-13 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : G02B 5/20
登记生效日 : 20201102
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳陆鼎光电科技有限公司
变更后权利人 : 大鼎光学薄膜(中山)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区第四工业区祝龙田路6栋2楼B
变更后权利人 : 528437 广东省中山市火炬开发区金通街3号通宇科技园B栋1楼之二卡
2020-04-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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