反射率测定装置
专利权的终止
摘要
一种反射率测定装置，即使被载置于微芯片上的被测定部位(试纸)被透明构件所覆盖，而被测定部位上的检体量是μl量级的微量的情况下，仍可获得良好的检出灵敏度。该反射率测定装置，具备将在特定波长具有指向性的光予以出射的光放出部(7、8)与受光部(9)，在微芯片(1)的被测定部位(4)上照射来自光放出部(7、8)的光，以受光部(9)来接受来自被测定部位(4)的反射光，以测定被测定部位(4)的反射率，其特征为，是将微芯片(1)的被测定部位(4)以透明构件(6)覆盖的构造，即，光放出部(7、8)配置在被测定部位(4)的正上方，来自光放出部(7、8)的照射区域被收敛在被测定部位(4)内，在包含光放出部(7、8)的发光中心点而垂直于微芯片(1)的假想面上，对于被测定部位(4)的照射区域的端部上的法线，令反射光所形成的角度为θ(°)，令被测定部位正上方所配置的光放出部(7、8)所放射
基本信息
专利标题 ：
反射率测定装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825091A
申请号 ：
CN200610006486.5
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松本茂树野泽繁典小川义正
申请人 ：
优志旺电机株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陆锦华
优先权 ：
CN200610006486.5
主分类号 ：
G01N21/55
IPC分类号 ：
G01N21/55 G01N21/27 G01N21/01 G01N33/52
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/55
镜面反射率
法律状态
2022-01-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01N 21/47
申请日 : 20060206
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20210206
申请日 : 20060206
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20210206
2010-05-26 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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