硅片反射率测量装置

授权

摘要

本实用新型公开了一种硅片反射率测量装置，其包括样品台、光源模块、光学镜头模块、数据采集模块和数据分析运算模块，样品台用于放置待测硅片样品；光源模块用于为放置在样品台上的硅片样品提供均匀的具有特定光谱的光源,光学镜头模块用于将经过硅片样品反射的光进行汇聚并过滤掉非反射光；数据采集模块用于将经过光学镜头模块汇聚的光信号转化为电信号，并输出结果。数据分析运算模块用于将数据采集模块的输出结果与标准样品的测试结果进行比对得出硅片样品的反射率。整体结构设计合理，省去传统分光装置，有效简化整体结构，硬件配置简单，易于实现，工作可靠性高，能精确、快速测量出硅片反射率，适用范围广，成本较低，利于广泛推广应用。

基本信息

专利标题：

硅片反射率测量装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921394002.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-26

授权号：

CN211179528U

授权日：

2020-08-04

发明人：

陈全胜唐旱波刘尧平王燕杜小龙

申请人：

松山湖材料实验室

申请人地址：

广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司

代理人：

刘晓敏

优先权：

CN201921394002.8

主分类号：

G01N21/55

IPC分类号：

G01N21/55