一种硅片弯曲程度测量装置
授权
摘要
本申请公开了一种硅片弯曲程度测量装置，包括：底座；其中，底座的上表面上设置有用于固定两个贴合在一起的待测硅片的卡槽；设置在底座上的固定连杆；其中，固定连杆包括与卡槽相垂直的横杆、与横杆相连且固定在底座上的竖杆；可移动地安装在横杆上、用于测量固定在卡槽中的两个待测硅片形成的弯曲开口的尺寸的测量标尺。本申请公开的上述技术方案，通过测量标尺测量固定在卡槽中的两个待测硅片形成的弯曲开口的尺寸，以通过弯曲开口的尺寸得到待测硅片的弯曲程度，从而便于根据所掌握的弯曲程度对薄膜沉积工序和/或后续的自动化工序进行调整，进而便于提高最终所制备出的太阳能电池的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片弯曲程度测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921690525.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-10
授权号 ：
CN210167376U
授权日 ：
2020-03-20
发明人 ：
杨楠楠金井升徐冠群张昕宇
申请人 ：
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
田媛媛
优先权 ：
CN201921690525.7
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/66
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法律状态
2020-03-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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