双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面
专利权的终止
摘要
本实用新型是双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面,其超表面结构是由同一平面的旋转对称的两个c型开口谐振环组成,在介质层Mylar薄膜上设置c型开口谐振环的金属层,金属材料采用Al;金属层的排列形状为:两个c型开口谐振环关于z轴旋转对称;以超表面的几何中心为原点,旋转对称的两个c型开口谐振环均相距0μm~30μm,开口角度范围为10°~140°并且c型开口谐振环的外环半径和内环半径范围分别为25μm~60μm和20μm~55μm;采用“介质‑金属”结构,能够有效增强正面入射强度,在低频与高频处可以产生环偶极子,利用环偶极子在太赫兹频段的电磁性能,制备太赫兹传感器、探测器、调制器、吸波器等太赫兹器件。
基本信息
专利标题 :
双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921277286.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-08
授权号 :
CN210006924U
授权日 :
2020-01-31
发明人 :
王爽赵崤利王松
申请人 :
天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
申请人地址 :
天津市津南区大沽南路1310号柳林东天津职业技术师范大学
代理机构 :
天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 :
曹玉平
优先权 :
CN201921277286.2
主分类号 :
H01Q15/00
IPC分类号 :
H01Q15/00
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法律状态
2021-07-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01Q 15/00
申请日 : 20190808
授权公告日 : 20200131
终止日期 : 20200808
申请日 : 20190808
授权公告日 : 20200131
终止日期 : 20200808
2020-01-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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