双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面

专利权的终止

摘要

本实用新型是双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面，其超表面结构是由同一平面的旋转对称的两个c型开口谐振环组成，在介质层Mylar薄膜上设置c型开口谐振环的金属层，金属材料采用Al；金属层的排列形状为：两个c型开口谐振环关于z轴旋转对称；以超表面的几何中心为原点，旋转对称的两个c型开口谐振环均相距0μm～30μm，开口角度范围为10°～140°并且c型开口谐振环的外环半径和内环半径范围分别为25μm～60μm和20μm～55μm；采用“介质‑金属”结构，能够有效增强正面入射强度，在低频与高频处可以产生环偶极子，利用环偶极子在太赫兹频段的电磁性能，制备太赫兹传感器、探测器、调制器、吸波器等太赫兹器件。

基本信息

专利标题：

双频c型开口谐振环太赫兹环偶极子超表面

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921277286.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-08

授权号：

CN210006924U

授权日：

2020-01-31

发明人：

王爽赵崤利王松

申请人：

天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心）

申请人地址：

天津市津南区大沽南路1310号柳林东天津职业技术师范大学

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所

代理人：

曹玉平

优先权：

CN201921277286.2

主分类号：

H01Q15/00

IPC分类号：

H01Q15/00