J型平面结构太赫兹环偶极子超表面
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摘要
本实用新型是一种单层J型平面结构太赫兹环偶极子超表面，其单元结构由两个呈180o旋转对称的J型金属条构成，基底介质是高分子材料Mylar薄膜。金属层的排列形状为：每个单元结构中相邻的两个J型金属条呈180o旋转对称，并且均相距0～30μm；J型结构的外部长度和宽度范围分别为145μm～155μm和100μm～220μm，J型结构的内部长度和宽度范围分别为125μm～135μm和80μm～160μm，厚度为0.2μm～0.6μm；J型金属结构中上下两臂长度差值为70～130μm；基底介质的厚度为15μm～30μm。“金属‑介质”结构的环偶极子超表面可有效增强正面入射强度，其Q值可达5左右。本实用新型可用于制备太赫兹传感器、调频器、吸波器等太赫兹功能器件。
基本信息
专利标题 ：
J型平面结构太赫兹环偶极子超表面
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921443879.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-02
授权号 ：
CN211480303U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
王爽王松朱剑宇
申请人 ：
天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心）
申请人地址 ：
天津市津南区大沽南路1310号天津职业技术师范大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921443879.1
主分类号 ：
H01Q15/00
IPC分类号 ：
H01Q15/00
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法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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