J型平面结构太赫兹环偶极子超表面
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摘要
本实用新型是一种单层J型平面结构太赫兹环偶极子超表面,其单元结构由两个呈180o旋转对称的J型金属条构成,基底介质是高分子材料Mylar薄膜。金属层的排列形状为:每个单元结构中相邻的两个J型金属条呈180o旋转对称,并且均相距0~30μm;J型结构的外部长度和宽度范围分别为145μm~155μm和100μm~220μm,J型结构的内部长度和宽度范围分别为125μm~135μm和80μm~160μm,厚度为0.2μm~0.6μm;J型金属结构中上下两臂长度差值为70~130μm;基底介质的厚度为15μm~30μm。“金属‑介质”结构的环偶极子超表面可有效增强正面入射强度,其Q值可达5左右。本实用新型可用于制备太赫兹传感器、调频器、吸波器等太赫兹功能器件。
基本信息
专利标题 :
J型平面结构太赫兹环偶极子超表面
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921443879.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-02
授权号 :
CN211480303U
授权日 :
2020-09-11
发明人 :
王爽王松朱剑宇
申请人 :
天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
申请人地址 :
天津市津南区大沽南路1310号天津职业技术师范大学
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921443879.1
主分类号 :
H01Q15/00
IPC分类号 :
H01Q15/00
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法律状态
2020-09-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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