一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构，包括条形结构的N+衬底，N+衬底上设置有N‑外延层，N‑外延层上纵向设置有源N+扩散窗口，N‑外延层的左右两侧沿源N+扩散窗口的纵向方向分别设置有栅氧化层，每个栅氧化层上依次设置有栅极多晶硅和栅源隔离层，源N+扩散窗口、源P+扩散窗口和接触孔设置在源极和栅极之间，源N+扩散窗口将源P+扩散窗口分隔成多个方形的元胞结构构成源极，栅极金属与多晶硅连接构成栅极，漏极金属与N+衬底连接构成漏极。本实用新型在保证产品电参数的情况下，缩小了元胞尺寸，使单位面积内并联的元胞数目增多，从而提高了单位面积的电流密度。
基本信息
专利标题 ：
一种提高单位面积电流密度的MOSFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921288277.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-09
授权号 ：
CN210073865U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
习毓丁文华周新棋陈骞单长玲智晶
申请人 ：
西安卫光科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市电子二路61号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
高博
优先权 ：
CN201921288277.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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