一种变频器用并联IGBT安装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种变频器用并联IGBT安装结构，包括层叠母排、散热器和三个IGBT组件单元；三个IGBT组件单元呈品字形安装于散热器上端，层叠母排设置于三个IGBT组件单元之间，三个IGBT组件单元通过层叠母排电连接，三个IGBT组件单元的电接口指向层叠母排，采用三个IGBT组件单元呈品字形分布，IGBT组件单元之间通过层叠母排连接，从而减小多个IGBT组件单元之间的连接空间，减小散热器体积，层叠母排的寄生参数也大大减小，提高运行可靠性。每组IGBT组件单元对应一个驱动板，达到就近驱动，减小相互干扰，驱动信号回路一致，并联的一致性有较好的保证，结构也更紧凑。
基本信息
专利标题 ：
一种变频器用并联IGBT安装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921314635.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN210273808U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
安淼张拥奇蔡剑马鑫
申请人 ：
西安西驰电气股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区草堂科技产业基地秦岭四路西二号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
李鹏威
优先权 ：
CN201921314635.3
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00 H05K7/20
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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