IGBT并联结构及变频器
授权
摘要
本实用新型涉及工业电源技术领域，提供一种IGBT并联结构，用于安装在变频器的安装部上，包括母排以及分别安装于安装部上的三个IGBT组件，安装部具有于竖直方向上存在高度差的至少两个安装位，至少两个的IGBT组件安装于安装部的对应安装位上，各个IGBT组件的接入端的朝向均相同，且各个IGBT组件的接入端通过母排电性连接。本实用新型能够解决现有的IGBT功率单元占地面积较大的问题。
基本信息
专利标题 ：
IGBT并联结构及变频器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022440055.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213754307U
授权日 ：
2021-07-20
发明人 ：
韩震坡刘念东
申请人 ：
苏州英威腾电力电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路1号
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
王政
优先权 ：
CN202022440055.8
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088
法律状态
2021-07-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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