一种变频器双单管IGBT并联布局结构
授权
摘要

本实用新型适用于变频器技术领域,提供了一种变频器双单管IGBT并联布局结构,包括变频器本体,所述变频器本体的顶部靠近一侧的边缘处开设有凹槽,所述凹槽的内部靠近顶部的边缘处固定设置有防护板,所述防护板的顶部开设有散热孔,所述凹槽的内部底面通过轴承转动连接有转动轴,所述转动轴的外表面沿圆周方向等距固定连接有散热扇,所述变频器本体的后侧外表面靠近顶部和底部的边缘处均固定连接有固定板,通过凹槽的设置,使得转动轴便于进行安装,在转动轴的转动的作用下,使得散热扇进行转动,进而使得变频器本体内部的热量进行消耗,进而使得装置便于进行有效的降温效果,使得装置便于进行使用,减少了装置由于温度过高而损坏的情况。

基本信息
专利标题 :
一种变频器双单管IGBT并联布局结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123328279.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
CN216752576U
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
高祥俊王鸿林
申请人 :
默克韦尔传动技术(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区科技城峨眉山路70号(5号厂房第3层)
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202123328279.0
主分类号 :
H05K7/20
IPC分类号 :
H05K7/20  H05K5/02  
法律状态
2022-06-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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