一种NMOSFET功率管驱动电路
授权
摘要
本实用新型涉及功率管控制技术领域,公开了一种NMOSFET功率管驱动电路，包括第一与非门、第二与非门、第一或非门、第二或非门、第一反向器、第二反向器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管，第三PMOS管和第三NMOS管的栅极电压为被驱动功率管的栅极输入电压。本实用新型采用分段驱动方式，控制功率管开启和关闭过程中的栅极输入电压变化速度，减缓功率管导通和关闭过程中产生的栅极输入电压的过冲和震荡，减小漏端电流的尖峰，进而减少功率管开关过程对系统其它电路产生的电磁干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种NMOSFET功率管驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921330227.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-15
授权号 ：
CN210246717U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
王冬峰刘桂芝赵寿全夏虎
申请人 ：
无锡麟力科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞云三座
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱晓林
优先权 ：
CN201921330227.7
主分类号 ：
H03K19/0944
IPC分类号 ：
H03K19/0944 H03K19/20 H03K19/003
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法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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