GaN功率管驱动电路与电子装置

授权

摘要

本实用新型提供了一种GaN功率管驱动电路与电子装置，该驱动电路包括交流驱动单元与直流驱动单元；交流驱动单元用于根据第一控制信号输出驱动信号至GaN功率管的栅极，以驱动GaN功率管的开启与关闭；其中，驱动信号包括低电平驱动信号与高电平驱动信号；驱动信号与第一控制信号是同步变化的；直流驱动单元用于根据第二控制信号控制高电平驱动信号的电压处于第一电压，以及控制低电平驱动信号的电压处于第二电压。本驱动电路利用交流驱动单元实现GaN功率管的启闭，利用直流驱动单元控制GaN功率管开启和关闭时的驱动电压处于恒定的电压值，从而满足了GaN功率管低阈值电压及窄范围栅源工作电压的特性需求，能充分发挥其电气性能优势的同时提高可靠性。

基本信息

专利标题：

GaN功率管驱动电路与电子装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021192192.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-24

授权号：

CN212183398U

授权日：

2020-12-18

发明人：

张程龙郭春明李盛峰

申请人：

华源智信半导体（深圳）有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区宝深路99号科陆大厦B座12层1201室

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

徐海晟

优先权：

CN202021192192.8

主分类号：

H02M1/08

IPC分类号：

H02M1/08