一种高光效紫光LED芯片
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摘要
本实用新型公开了一种高光效紫光LED芯片，其包括衬底；设于衬底表面的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层的至少一层出光膜层；设于所述出光膜层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极；和设于所述透明导电层的第二电极；其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；所述出光膜层设有孔道，所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。本实用新型在紫光LED芯片的外延层与透明导电层之间设置了出光膜层，且出光膜层的折射率与GaN层相近，减少了紫光的反射，增加了紫光的透光率，提升了LED芯片的光效，采用本实用新型的LED芯片结构，紫光的透光率可达到90％以上。
基本信息
专利标题 ：
一种高光效紫光LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921368492.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-20
授权号 ：
CN210379103U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921368492.4
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/38
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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