一种高亮度紫光LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高亮度紫光LED芯片，其包括：衬底；设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层的第一电极；设于所述第二半导体层的第二电极；其中，所述第一半导体层侧壁、有源层侧壁及第二半导体层侧壁设有二次粗糙面。本实用新型在第一半导体层侧壁、有源层侧壁及第二半导体层侧壁设置了形成了二次粗糙面，其能有效提升光提取效率，增加出光效能，提升紫光LED芯片亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种高亮度紫光LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921515624.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN210379096U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
仇美懿庄家铭徐亮
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921515624.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/32 H01L33/22
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法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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