一种高亮度正装LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高亮度正装LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面的发光结构、以及位于发光结构之间的切割槽，其特征在于，还包括设置在衬底背面的具有图形化结构的反射散射层，所述反射散射层由白色无机材料或无机荧光材料制成，所述反射散射层对发光结构向衬底背面发出的光进行散射和全反射，经过反射散射层反射的光变成全光谱，以减少发光结构对光的吸收，提高芯片的出光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高亮度正装LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921888948.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-04
授权号 ：
CN210805816U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
仇美懿庄家铭陈凯
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921888948.X
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46 H01L33/08 H01L33/26 H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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