一种高亮度LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，其包括：衬底；设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层的第一电极；设于所述第二半导体层的第二电极；所述第一电极与第二电极具有倾斜表面。本实用新型还公开了一种上述高亮度LED芯片的制备方法以及封装方法。实施本实用新型，可有效减少了电极面积，同时保证不减少封装打线面积，有效提升了LED芯片的亮度与效能。
基本信息
专利标题 ：
一种高亮度LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920747243.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN209822678U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201920747243.X
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/00
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法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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