一种用于生产异质结太阳能电池硅片的设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于生产异质结太阳能电池硅片的设备，包括炉管（1）、炉外加热装置（14）、真空传感器、温度传感器、载片舟（2），以及控制器（3）；载片舟连接射频电源（15），炉管一端连接供气系统，另一端连接抽真空系统；供气系统至少包含硅烷供气系统和氢气供气系统；硅烷供气系统包括管路（4）、质量流量计（5）和阀门（6）、硅烷气瓶（7）；氢气供气系统包括管路（4）、质量流量计（5）和阀门（6）、氢气瓶（8）；控制器接受质量流量计的数据、控制阀门和抽真空系统；本实用新型能够对HJT电池进行非晶硅沉积，用于生产异质结太阳能电池硅片；具有产能大，效率高，占地面积小，结构简单，成本低廉的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种用于生产异质结太阳能电池硅片的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921381724.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-23
授权号 ：
CN211394619U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
张勇李军阳李学文李国庆
申请人 ：
深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区金牛东路62号
代理机构 ：
深圳市康弘知识产权代理有限公司
代理人 ：
林伟敏
优先权 ：
CN201921381724.X
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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