硅芯片压力感应装置及设备

授权

摘要

本实用新型属于压力感应技术领域，涉及硅芯片压力感应装置及设备。在硅芯片压力感应装置中，刚性结构包括间隔设置的刚性块，相邻两个刚性块之间形成应变放大区，在应变放大区的两个安装面分别设置两个第一硅压力感应芯片，四个第一硅压力感应芯片连接形成第一全桥电路。在使用时将刚性结构贴合在被测物体上，被测物体受力变形，刚性结构的应变集中在应变放大区，第一硅压力感应芯片产生形变并由第一全桥电路输出信号，第一全桥电路电连接于信号处理电路，进而检测刚性结构的形变并得出被测物体的作用力。该硅芯片压力感应装置及具有该硅芯片压力感应装置的设备，容易制作与安装，可以灵敏地检测被测物体的微小形变，精准识别压力。

基本信息

专利标题：

硅芯片压力感应装置及设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921457608.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-30

授权号：

CN210442010U

授权日：

2020-05-01

发明人：

李灏

申请人：

深圳纽迪瑞科技开发有限公司

申请人地址：

广东省深圳市光明新区观光路3009号光明新区留学人员创业园608

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

袁哲

优先权：

CN201921457608.1

主分类号：

G01L1/22

IPC分类号：

G01L1/22