MEMS压力芯片

授权

摘要

本实用新型公开了一种MEMS压力芯片，MEMS压力芯片包括支撑部、感应层和桁架结构，支撑部具有通腔，感应层悬空于通腔且通过支撑部支撑桁架结构包括基架以及至少两个支梁，基架上设有第一镂空区域，各支梁的一端连接至基架，另一端延伸至支撑部，使得支梁、基架与支撑部之间围设形成至少两个第二镂空区域，感应层通过第一镂空区域和第二镂空区域暴露。本实用新型能够改善压力芯片输出的线性度、温飘性能和时飘性能，并减小因桁架结构引入的附加质量对压力芯片的输出造成的加速度干扰。

基本信息

专利标题：

MEMS压力芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021751220.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-20

授权号：

CN212988661U

授权日：

2021-04-16

发明人：

聂泳忠吴桂珊李腾跃卢法光

申请人：

西人马联合测控（泉州）科技有限公司

申请人地址：

福建省泉州市洛江区双阳街道新南社区

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

娜拉

优先权：

CN202021751220.5

主分类号：

G01L1/22

IPC分类号：

G01L1/22 B81C1/00