一种多晶硅热场坩埚装置
授权
摘要

本实用新型涉及多晶硅加热附属装置的技术领域,特别是涉及一种多晶硅热场坩埚装置,其工作釜内部可以方便进行观察,从而提高其实用性;包括工作釜,工作釜内部设置有工作腔,工作釜顶端连通设置有取放口,并在取放口处螺栓螺装有挡盖;挡盖顶端连通设置有观察孔,并在观察孔处设置有透明观察板,挡盖顶端左侧设置有前后向连通口,还包括滑块、带动柱、带动板、安装板和海绵擦,还包括后固定板、前固定板、把手、连接架和丝杠,前固定板后端设置有第一轴承座,并在第一轴承座内设置有第一滚珠轴承和第一限位片,第一轴承座后端设置有第一挡片,还包括多组第一套簧和多组第一可伸缩管。

基本信息
专利标题 :
一种多晶硅热场坩埚装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921480771.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-06
授权号 :
CN210765585U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
朱建峰
申请人 :
大同新成新材料股份有限公司
申请人地址 :
山西省大同市新荣区花园屯村
代理机构 :
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
申绍中
优先权 :
CN201921480771.X
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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