能提高运算放大器性能的差分输入结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种能提高运算放大器性能的差分输入结构，其包括主体部、辅助部以及电压传输管组，主体部内主体差分对管内的MOS管均采用薄栅氧MOS管，辅助部内的辅助差分对管内的MOS管均采用厚栅氧MOS管，辅助第一厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VP+，辅助第二厚栅氧MOS管的栅极端接收输入信号VN‑，利用辅助第一厚栅氧MOS管、辅助第二厚栅氧MOS管避免输入信号VP+、输入信号VN‑之间的差值较大引起差分对管VGS较大导致MOS管的损坏，主体差分对管采用薄栅氧MOS管时，能确保运算放大器的性能，通过电压传输管组进行电压传输后，能确保使得主体第一薄栅氧MOS管的栅端电压与主体第二薄栅氧MOS管的栅端电压的差值保持稳定，安全可靠。
基本信息
专利标题 ：
能提高运算放大器性能的差分输入结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921535325.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210157150U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
张明马学龙焦炜杰杨金权王新安汪波石方敏
申请人 ：
江苏润石科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区和风路19号协信中心6号楼1306室
代理机构 ：
无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张涛
优先权 ：
CN201921535325.4
主分类号 ：
H03F1/02
IPC分类号 ：
H03F1/02 H03F1/30 H03F1/26 H03F3/45
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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