一种集成高性能的LDMOS结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种集成高性能的LDMOS结构，涉及半导体技术领域，该高性能的LDMOS结构在漂移区内引入了变掺杂的P型补偿注入区，P型补偿注入区的尺寸沿着P型阱区至N型阱区的方向依次减小，且P型补偿注入区靠近P型阱区的一侧不超出所在侧的场氧化层的鸟嘴结构，可以显著降低场氧化层下方靠近P型阱区一侧的N型外延层的浓度，使得此区域更容易耗尽，而且不会对沟道造成影响，同时P型补偿注入区为间隔结构，两组P型补偿注入区之间的区域仍然为传统的漂移区，引入的P型补偿注入区不会影响到器件的导通电阻，相同源漏反偏电压下的耗尽区面积更大，从而可以获得更好的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种集成高性能的LDMOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921535640.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN210110783U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
范捷万立宏王绍荣
申请人 ：
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201921535640.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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